Pembentukan simpangan cetek ultra merupakan suatu proses yang kritikal dalam fabrikasi
peranti-peranti submikron bagi teknologi litar terkamil pada masa hadapan. Di dalam penulisan
ini, simulasi proses bagi pembentukan simpangan cetek ultra telah dilaksanakan menggunakan
perisian ATHENA dan ATLAS yang terdapat di dalam pakej perisian Silvaco TCAD Tools.
Dengan kelebihan tiada resapan bertingkat fana dan pencemaran logam, resapan daripada
SOD (Spin On Dopant) terdop tinggi merupakan suatu teknologi yang sesuai bagi pembentukan
simpangan cetek ultra. Proses resapan dari SOD disimulasikan seperti model simulasi resapan
dari sumber terdop oksida. Fabrikasi diod juga turut disimulasikan bagi menganalisis ciri-ciri
elektrik bagi simpangan ini. Keputusan yang diperoleh dipaparkan dalam gambarajah dua
dimensi. Keputusan daripada proses simulasi mendapati simpangan cetek P"N berprestasi
tinggi dengan kedalaman simpang iaitu 40nm diperoleh menggunakan resapan terma pantas
8150 ke dalam silikon serta mempunyai ciri-ciri diod yang baik dengan ketumpatan arus bocor
yang rendah iaitu 0.5nNcm2• Simpangan cetek dengan kedalaman kurang daripada 20nm turut
diperolehi tetapi kualiti diod terjejas akibat arus permukaan bocor yang tinggi.
